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EVAP400C惰性氣體保護鍍膜系統

型号：EVAP400C
配手套箱
产品描述：該設備主要由有機/金屬源蒸發沉積室、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品加熱控溫、電控系統、配氣系統和手套箱等部分組成。

产品介绍

設備用途

適用於製備金屬電極、鈣鈦礦太陽能電池、OLED、半導體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用於科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用於於小批量及中試生產或大批量生產前的試驗工作。

設備組成

該設備主要由有機/金屬源蒸發沉積室、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品加熱控溫、電控系統、配氣系統和手套箱等部分組成。

產品優點及特點

設備相容有機/無機蒸發,可實現多元分蒸或共蒸獲得多層膜、複合膜，性能穩定，尤其溫控有機蒸發源不僅角度可調，均勻性好，同時可通過進口膜厚儀聯動控制實現速率精確控制、摻雜；樣品臺可升降調整源-基片距離，有效節約貴重材料，降低實驗成本；

EVAP400C全自動高真空電阻蒸發鍍膜系統採用windows操作平臺和cotrl2000控制系統，採用IPC+network技術，實現整機主要部件的參數化設置、實施即時監控及故障智能診斷以及膜厚全自動監控，有自動和手動控制兩種模式。除取放樣品外，其他操作過程全部在PC上使用軟體控制；提供真空系統、工藝設置、充放氣系統等友好人機操作介面；在工控機上可通過配方設置參數，實現對程式工藝過程和設備參數的設置、儲存和列印。

膜厚全自動監控系統，自動設計、工藝讀入、參數設置、即時監控等功能，實現整個鍍膜過程的全自動控制。可以設置數十層甚至上百層的膜層控制，簡單實現單層或多層共蒸。

※ 可直接將真空室前門置於手套箱環境中，實現薄膜製備與後期工序的無縫對接；較傳統真空腔室與手套箱環境的機械傳遞，這種結構更簡單，可靠，方便。

※ 全自動工控機控制，一鍵式操作。

※ 鍍膜室內表面採用鏡面拋光處理，減少表面的放氣量，提高了抽速；

※ 前門採用全自動控制鎖緊結構，消除了磨損手套使手套箱漏氣的隱患，節約手套箱箱裏面空間；

※ 高配水冷蒸發源

※ 基片臺可實現旋轉、升降、加熱功能

※ 工藝和配方可以編寫、儲存、列印

※ 可定制各種圖案掩膜版

主要技術指標

型號		EVAP400C
主真空室		方形304不銹鋼腔室，尺寸：400×400×450mm,前門採用全自動控制（和手套箱集成時），後門採用手動鉸鏈結構，兩門均設有觀察窗。腔室預留有照明和膜厚儀等設備介面。
真空系統		複合分子泵（抽速1200L/S）+合資直聯旋片泵(抽速9L/S),高真空電氣聯動插板閥，全自動控制。
極限真空		≤6×10^-5Pa
抽速		從大氣抽至9×10^-4Pa≤30min（短時間暴露大氣，沖入乾燥氮氣後開始抽氣）
基片系統	樣品尺寸	抽屜式結構，承載最大小於120×120mm 樣品，配日本SMC氣動基片擋板，電氣聯動全自動控制。
	運動方式	1、基片臺採用磁流體密封，可升降，源與基片之間距離200~300mm連續可調； 2、基片臺可連續回轉，轉速0~30轉/分可調； 3、上述過程均為全自動控制。
	加熱	室溫~300℃，日本島電PID智能控溫系統，。
蒸發源	金屬蒸發源	2組，採用水冷銅電極+蒸發舟結構
	有機蒸發源	2組，採用PID溫控有機束源爐，坩堝≥2CC，室溫~300℃，連續可調
蒸發電源	金屬蒸發電源	電流300A，最大輸出功率3KW（轉換供二組交替蒸發）
	有機蒸發電源	PID智能溫控蒸發電源（控溫精度±1℃）
膜厚控制系統		採用石英晶振膜厚控制儀，監測厚度顯示範圍 0-99μ9999Å
水冷系統		配備冷卻水迴圈機，用戶只需提供場地設備就可運行起來
控制方式		PLC+PC的全自動控制
報警及保護系統		完善的邏輯程式互鎖及保護系統，對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況報警並執行相應保護措施。
膜厚不均勻性		Φ100mm≤±5.0%
手套箱		lab2000（2000×750）+lab2000（1200×750）
需求空間		長約4500mm，寬約2000mm，高約2500mm；

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